多晶硅硅料回收后的清洗方法，将多晶硅硅料置于混合酸液中进行避光浸泡1分钟～10分钟，混合酸液温度为30℃～35℃，后捞取，用纯水冲洗，再经超声冲洗、压缩空气鼓泡后烘干；混合酸液为腐蚀液，配比为硝酸∶氢氟酸∶冰乙酸的溶液体积比为57∶18∶25；硝酸浓度为68％～72％，氢氟酸浓度为38％～41％，冰乙酸浓度为99.8％～99.9％；纯度等级为MOS级或UP级。将多晶硅硅料置于混合酸液中避光浸泡前，可以在氢氟酸液中进行避光预浸泡，也可以先在溶解光阻的溶剂中进行避光浸泡。用本方法清洗的多晶硅硅料，表面光洁，无酸渍、水渍，其优点为清洗效果好，清洗成本低，操作难度低，易于控制清洗质量，提高了清洗收率。

从各企业生产情况看，目前全国在产多晶硅企业14家，江苏中能及新特能源仍维持超负荷运行，江苏中能6.8万吨/年改良西门子法超载运行，年产量达7.2万吨左右，正常状态下每月产量在6100-6200吨（按31天算）。特变电工进入2016年开始，每月维持在2200吨左右的超负荷生产，产量仍居国内第二位。洛阳中硅在2015年8月份技改结束后，产量从9月份开始增加到千吨以上，仍位居国内第三。国内其他企业月产量在千吨以上的有：新疆大全、四川永祥、亚洲硅业，这三家企业在1-2月份期间除四川永祥因电网线路问题影响产量外，其他均正常生产。多晶硅回收找伍征，其余月产量在千吨以下的企业也有部分在检修技改，以期在未来淘汰整合过程中赢得先机。

单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅回收。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅回收。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。 高纯度硅在石英中提取，以单晶硅为例，提炼要经过以下过程:石英砂一冶金级硅一提纯和精炼一沉积多晶硅锭一单晶硅一硅片切割。 冶金级硅的提炼并不难。它的制备主要是在电弧炉中用碳还原石英砂而成。这样被还原出来的硅的纯度约98-99%，但半导体工业用硅还必须进行高度提纯(电子级多晶硅纯度要求11个9，太阳能电池级只要求6个9)。而在提纯过程中，有一项“三氯氢硅还原法(西门子法)”的关键技术我国还没有掌握，由于没有这项技术，我国在提炼过程中70%以上的多晶硅都通过氯气排放了，不仅提炼成本高，而且环境污染非常严重。我国每年都从石英石中提取大量的工业硅，以1美元/公斤的价格出口到德国、美国和日本等国，而这些国家把工业硅加工成高纯度的晶体硅材料，以46-80美元/公斤的价格卖给我国的太阳能企业。

对硅片行业稍微有些了解的人都应该知道，废硅片回收之后是必须要清洗的，而且我们还要对清洗过程给予必要的重视，不能马马虎虎，因为硅片回收清洗的效率将直接影响到器件的成品率、性能和可靠性。下面我们就来了解一下费硅片回收清洗的重要性。

现在人们已研制出了很多种可用于废硅片回收清洗的工艺方法和技术，常见的有：湿法化学清 洗、超声清洗法、兆声清洗法、鼓泡清洗法、擦洗法、高压喷射法、离心喷射法、流体力学法、流体动力学法、干法清洗、微集射束流法、激光束清洗、冷凝喷雾技 术、气相清洗、非浸润液体喷射法、废硅片回收在线真空清洗技术、RCA标准清洗、等离子体清洗、原位水冲洗法等。这些方法和技术现已广泛应用于废硅片回收 加工和器件制造中的废硅片回收清洗。

表面沾污指硅表面上沉积有粒子、金属、有机物、湿气分子和自然氧化物等的一种或几种。超纯表面定义为没有沾污的表面, 或者是超出检测量极限的表面。