单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。

为了避免此现象的发生硅片的切割厚度也从300μm左右进一步降低，争取实现低成本高线切割及减少切缝损耗，但是难度是相当的大。因此实现太阳能晶硅电池行业生产效率的提高及生产成本的降低，对于开展寸超薄硅片切割方法的开拓与创新研究是势在必行的。

多晶硅产品阵营内部，多晶主打性价比，单晶主打，形成了差异化的产品层次，其中单晶产品转换效率更高、电学性能更优，被认为市场前景巨大。然而，根据市场占有率来看，多晶连续多年成为晶硅产品的主流。数据统计，2009年至今，多晶产品应用连年上升，至2015年已达76%的市占率高点。

这样的光伏市场格局下，电学性能更好、单晶电池效率更高的单晶组件一直在追赶多晶的市场主导地位，并于2015年取得一定突破，但两者之间还存在差距。