IGBT模块的适用功率小至几百瓦，高至数兆瓦。这些产品可用于通用驱动器、牵引、伺服装置和可再生能源发电（如光伏逆变器或风电应用）等应用，具有高可靠性、出色性能、率和使用寿命长的优势。IGBT模块采用预涂热界面材料（TIM），能让电力电子应用实现一致性的散热性能。

IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。

IGBT一般分为IGBT单管和IGBT模块。简而言之IGBT电流密度高且功耗低，能够提高能效、降低散热需求，从而有效降低整体系统成本。它们广泛应用于通用逆变器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、感应加热设备、大型家电、焊接以及开关电源（SMPS）等领域。

在IGBT使用过程中，可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小，从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。

1）当IGBT栅-射极加上加0或负电压时，MOSFET内沟道消失，IGBT呈关断状态。

2）当集-射极电压UCE＜0时，J3的PN结处于反偏，IGBT呈反向阻断状态。

3）当集-射极电压UCE＞0时，分两种情况：

若栅-射极电压UGE＜Uth，沟道不能形成，IGBT呈正向阻断状态。

若栅-射极电压UGE＞Uth ，栅极沟道形成，IGBT呈导通状态（正常工作）。此时，空穴从P+区注入到N基区进行电导调制，减少N基区电阻RN的值，使IGBT通态压降降低。